李正

教育经历：

1981.9~1986.6：美国宾夕法尼亚州立大学 专业学习，获得物理学专业博士学位；

1977.9~1981.6：北京大学            专业学习，获得北京大学物理学学士学位；

工作经历：

2019.03至今      yl6809永利教授

湖南正芯微电子探测器有限公司董事长兼首席科学家

北京高能物理研究所特聘专家

2014.02-2019.03  湘潭大学半导体粒子光子成像探测器研发制作中心主任; 湘潭大学特种功能薄膜材料国家地方联合工程实验室主任

1986.11-2014.01   美国知名实验室半导体开发与制造实验室学术带头人

欧洲核子研究委员会合作中心发言人

西安交通大学客座教授

北京半导体研究所客座教授

湘潭大学访问教授

目前研究领域：

新型探测器物理、器件的研发和制造工艺；

半导体探测器及其抗辐照加固设计方法及应用

辐照缺陷诱导退化机理

承担研究课题：

2019年01月-2021年12月，用于CT核心部件硅漂移探测器阵列芯片的研发及产业化山东省重点研发计划（重大科技创新工程）项目(2019TSLH0316，954万元)。（主持人：李正）

2017年07月-2020年06月，超大面积硅漂移室探测器的研制及产业化，国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”重点专项(2017YFF0105000，954万元)。（主持人：李正）

2016年12月-2018年12月，脉冲星X射线探测与数据应用新技术研究，中央军委科技委前沿科技创新2016年度第一批项目(17-H863-01- ZT-001-007-07，500万元)。（主持人：李正）

2019年01月-2023年12月，X射线成像和能谱分析的多通道硅漂移探测器阵列研究(1183000248，330万元)。（主持人：李正）

2015年01月-2017年12月，高性能压力传感器的研制及产业化，湖南省重点研发计划(2015GK2003，200万元)。（主持人：李正）

2017年07月-2020年06月，用于脉冲星导航的超大面积硅漂移探测器的研制(2017GK2293，300万元)。（主持人：李正）

2015年，湘潭市科研配套经费600万元。（主持人：李正）

2012年08月-2014年08月，FeCMOS基本门电路的辐照效应及机理研究，973计划前期研究专项(2012CB326404，60万元)。（主持人：李正）

研究生培养：

曲阜师范大学物理学专业兼职博士生导师（光学）

物理学学术学位和材料与化工专业学位研究生导师，主要招收半导体探测器及其抗辐照加固设计方法及应用、新型探测器物理、器件的研发和制造工艺方向研究生。

代表性成果：

 李正博士是半导体探测器及其抗辐照加固方面的国际著名专家，在大面积、低漏电流硅探测器，3D结构探测器，杂质工程对硅探测器的辐射加固，辐照缺陷诱导退化机理等方面做出了杰出的贡献，研制的探测器在世界各大加速器，美国航天器上都得到了广泛的应用。他发表SCI论文350余篇，他引7000余次，于2005年获 Science and Technology奖（此大奖每两年颁发一次，每次只奖给一到两位有重大贡献的的科学家(知名实验室的科学家总数有4000名左右）。2012年获美国电气与电子工程师协会技术创新奖。2016年获第六届中国侨界贡献奖创新团队奖，2017年获国务院侨办“重点华侨华人创业团队”。代表性成果如下：

论文：

[1] Zhiwei Song, Gang Li, Ying. Xiong, Chuanpin Cheng, W. L. Zhang, Minghua Tang*, Zheng Li*, and J He. Multistate storage nonvolatile memory device based on ferroelectricity and resistive switching effects of SrBi2Ta2O9 films. Semiconductor Science and Technology, 33 (5) (2018) 055009. (SCI源刊，影响因子2.305)

[2] M. Cheng, C. Li, M. X. Tang, Z. Li* and. S. N. Luo, Intragranular void formation inshock-spalled tantalum: Mechanisms and governing factors. Acta Materialia, 2(2018). (SCI源刊，影响因子5.301)

[3] Fulu Chu, Jiulin Hu, Jing Tian, Zheng Li*, and Chilin Li. In-situ plating of porous Mg network layer to reinforce anode dendrite suppression in Li-metal batteris. ACS Appl. Mater. Interfaces, 10 (15) (2018) 12678-12689. (SCI源刊，影响因子7.504)

[4] Wang, Xudong; Liu, Chunsen; Chen, Yan; Wu, Guangjian; Yan, Xiao; Huang, Hai; Wang, Peng; Tian, Bobo; Hong, Zhenchen; Wang, Yutao; Sun, Shuo; Shen, Hong; Lin, Tie; Hu, Wei-Da; Tang, Minghua*; Zhou, Peng; Wang, Jianlu; Sun, Jinglan; Meng, Xiangjian; Chu, Junhao; Li, Z. Ferroelectric FET for nonvolatile memory application with two-dimensional MoSe2 channels. 2D Materials, 4 (2017) 025036 (1-8). (SCI源刊，影响因子6.937)

[5] W. L. Zhang, M. H. Tang*,Y. Xiong, Z. P. Wang, Y. G. Xiao, S. A. Yan, Z. Li* and J. He. Polarization switching and fatigue characteristics of highly (117)-oriented Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12 ferroelectric thin films at both low and elevated temperatures. RSC Advances, 7 (2017) 20929-20935. (SCI源刊，影响因子3.108)

[6] Rongxin Xiong, Bin Fang, Gang Li, Yongguang Xiao, Minghua Tang*, Zheng Li*. Electric-field tuning of ferromagnetic resonance in CoFeB/MgO magnetic tunnel junction on a piezoelectric PMN-PT substrate. Applied Physics Letters, 111 (6) (2017) 062401. (SCI源刊，影响因子3.726)

[7] K. Wang, M. H. Tang*, Y. Xiong, G. Li, Y. G. Xiao, W. L. Zhang, Z. P. Wang, Z. Li*, and J. He. Epitaxial growth and magnetic/transport properties of La0.7Sr0.3MnO3 thin films grown on SrTiO3 with optimized growth conditions. RSC Advances, 7 (2017) 31327-31332. (SCI源刊，影响因子3.108)

专利：

[1] 李正，Spiral Biasing Adaptor for Use in Si Drift Detectors and Si Drift Detector Array，发明专利，专利号：US9383452 B2，美国，2016.

[2] 李正，唐立鹏，刘曼文，冯明富。一种开合式三维沟槽电极硅探测器，发明专利，专利号：ZL201611133684.8，中国，2016

[3] 李正，廖川，唐立鹏，张亚，可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器，实用新型专利，专利号：ZL201621379168.9，中国，2017.

[4] 李正，刘晓洁，最小死区的闭合式三维沟槽硅探测器，发明专利，专利号：ZL201710732524.3，中国，2017.

[5] 李正，廖川，唐立鹏，张亚，可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器，发明专利，专利号：201611162056.2，中国，2017.

[6] 李正，张亚，长蜂窝壳型电极三维探测器，发明专利，专利号：201710676008.3，中国，2017.

[7] 李正，张亚，互嵌壳型电极三维探测器 ，实用新型，专利号：201721077852.6.中国，2017.

[8] 李正，刘曼文，一种圆形开阖式盒型电极半导体探测器，发明专利，专利号：201710598434.X，中国，2017.

[9] 李正，刘曼文，一种新型六边形开阖式壳型电极半导体探测器，发明专利，专利号：201710598436.9，中国，2017.